undoped region — nelegiruotoji sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. undoped region vok. undotierter Bereich, m rus. нелегированная область, f pranc. région non dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
nelegiruotoji sritis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. undoped region vok. undotierter Bereich, m rus. нелегированная область, f pranc. région non dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
undotierter Bereich — nelegiruotoji sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. undoped region vok. undotierter Bereich, m rus. нелегированная область, f pranc. région non dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
нелегированная область — nelegiruotoji sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. undoped region vok. undotierter Bereich, m rus. нелегированная область, f pranc. région non dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
collecteur — collecteur, trice [ kɔlɛktɶr, tris ] n. et adj. • 1315; bas lat. collector, de colligere → collecte 1 ♦ Personne qui recueille des cotisations, des taxes. Collecteur d impôts. ⇒ percepteur. 2 ♦ N. m. Organe ou dispositif qui recueille ce qui… … Encyclopédie Universelle
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français